Nueva mirada de las interacciones hiperfinas dinámicas en óxidos semiconductores. Modelización ab initio del fenómeno de los “after-effects
Martes 29 de noviembre - 14:00 hs
Estimadas/os,
Quedan todas/os invitadas/os al próximo seminario del Ciclo de Coloquios y Seminarios 2022 del IFLP, el martes 29 de noviembre a las 14hs.
El mismo estará a cargo del Dr. Germán Darriba, investigador del grupo de investigación Propiedades estructurales, electrónicas y magnéticas en materia condensada, del IFLP.
Su charla será sobre ¨Nueva mirada de las interacciones hiperfinas dinámicas en óxidos semiconductores. Modelización ab initio del fenómeno de los “after-effects”, y el siguiente es un breve resumen de la misma:
La presencia de impurezas metálicas en óxidos semiconductores y aisladores inducen la presencia de características interesantes en la densidad electrónica de estados dependiendo del carácter de éstas (donoras o aceptoras) en cada sistema huésped. Particularmente,ciertos óxidos binarios estudiados mediante la espectroscopía de las correlaciones angulares g-g perturbadas,diferenciales en tiempo (TDPAC) utilizando la sonda (111In®)111Cd(que generalmente es una impureza) presentan interacciones hiperfinas (HFIs)dependientes del tiempo (en oposición a las HFIs estáticas usuales, originadas por configuraciones electrónicas estáticas) atribuidas al llamado “aftereffects” (AE), el cual es un proceso de relajación electrónica seguido al decaimiento nuclear por captura electrónica(EC) de la sonda 111In (ECAE). Este interesante efecto se caracteriza por la presencia de un fuerte amortiguamiento del espectro experimental (en los primeros 10-50 ns aprox.) en función de la temperatura demanera reversible.En esta charla presentamos un estudio de este fenómeno abordado de forma combinada, experimental (mediante la espectroscopía TDPAC) y ab initio (utilizando el método FP-APW+lo en el marco de DFT), investigando la dependencia con la temperatura de las HFIs en SnO2y SnO dopados con 111In(EC)®111Cd.El fin de esta elección es tener a) el caso en que la impureza actúa en forma aceptora (SnO2 dopado con Cd) generando en principio 2 huecos electrónicos, y b) el caso en que ésta es isovalente al catión reemplazado (SnO dopado con Cd) que en principio no introduce huecos electrónicos en la banda de valencia del semiconductor, y de esta forma evaluar la necesidad de la existencia de un nivel aceptor para la existencia de este fenómeno dinámico. Finalmente proponemos un modelo, soportado por los cálculos ab initio, que da cuenta del origen de las HFI dinámicas observadas, así como las condiciones que deben cumplir los sistemas impurezas-huésped para que esto ocurra. Particularmente proponemos (y a diferencia de lo que se pensaba históricamente) que es posible observar estos fenómenos en sondas que no decaigan por EC, analizando las condiciones que deben cumplir los núcleos sonda involucrados.
El seminario tendrá lugar en el auditorio del IFLP, sito en la diagonal 113 entre 63 y 64..
Para quienes no puedan asistir en forma presencial tendrán la opción de seguirla por el canal de youtube del instituto
https://www.youtube.com/channel/UC5TjsUrIuVU6BobUdIFyHAg
Esperamos contar con su participación.
